CBNU Inventor’s Lab
▪ 다양한 반도체 소자의 개발 및 특성 개선을 위한 연구를 진행하고 있음
▪ TCAD를 활용하여 소자를 설계하고, 공정 장비를 이용해 소자를 제작한 후, 제작된 소자의 특성 분석을 수행함
▪ 주요 연구 소재는 실리콘 근적외선 이미지 센서, 가시광 이미지 센서, 로직 소자 등이 포함됩니다
▪ 실리콘 반도체소자 제작 및 특성분석
▪ TCAD 반도체 소자/공정 설계
▪ 카메라용 CMOS Image Sensor 설계
▪ 실리콘 기반 근적외선 이미지센서 개발
1. 상향변환 물질과 축퇴 반도체를 활용한 고감도의 실리콘 근적외선 이미지센서 개발
포톤형(좌)과 볼로미터형(우) 방식의 적외선센서의 성능 비교
2. 카메라용 CMOS Image Sensor의 dark noise 저감 기술 개발
Dark noise에 따른 이미지 품질 비교
▪ TCAD 광학, 소자 모델링을 통한 최적 구조의 이미지 센서 설계
TCAD를 이용한 이미지 센서 설계
▪ Dark noise 저감을 위한 electric and chemical passivation 기술 개발
- 고농도 도핑 실리콘을 활용해 밴드갭 내로잉을 유도함으로써 근적외선(NIR) 감지 영역을 기존보다 확장함
- 근적외선에서의 넓은 파장 범위 감지와 높은 성능을 제공하는 고성능 이미지 센서 기술을 개발함
- 실리콘 기반 기술로 기존 반도체 제조 공정과 호환되어 저비용·대량 생산 및 빠른 상용화가 가능함
- 생체 의료 영상, 환경 모니터링, 자율주행 센서, 군사·보안 감시 등 다양한 분야에 활용 가능함
- 글로벌 의료·자동차·군사 시장 등에서의 확장성과 사업화 가능성이 높음